RAM-Vergleich Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Gesamtnote

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 75

Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.7 1,672.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 4200

Rund um 5.07 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

301 3061

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns