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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
63
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3486
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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