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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
63
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3486
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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