RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
75
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
4200
Rund um 6.1 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
4200
25600
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
2534
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link