Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Unterschiede

Kingston KVR533D2N4 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    56 left arrow 75
    Rund um -34% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.1 left arrow 1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 1,672.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 4200
    Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    75 left arrow 56
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    1,943.5 left arrow 20.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,672.1 left arrow 10.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    301 left arrow 2455
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche