RAM-Vergleich Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Gesamtnote

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

56 75

Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.1 1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.5 1,672.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 4200

Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

301 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns