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Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
75
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
56
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2455
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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