RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
75
Rund um -317% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
3536
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link