RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3171
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link