RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3171
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link