RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
50
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2088
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link