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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
29
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2088
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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