RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
50
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2346
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link