RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2346
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link