Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB

Gesamtnote
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Gesamtnote
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Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB

Unterschiede

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 29
    Rund um -7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 9.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 5.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 12.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.1 left arrow 7.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1432 left arrow 2038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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