RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
59
Rund um -228% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
16.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3650
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link