RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
15.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3546
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link