RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
59
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
2687
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link