RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
65
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2605
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link