RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2605
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link