RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2605
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link