RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2605
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2133C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2X1600C7 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link