RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
59
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
2947
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link