RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
59
Rund um -228% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
16.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3536
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link