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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Gesamtnote
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Gesamtnote
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    59 left arrow 71
    Rund um 17% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Durchschnittswert bei den Tests
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.4 left arrow 1,855.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 5300
    Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 71
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,168.0 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,855.7 left arrow 6.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    680 left arrow 1650

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