RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
71
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
71
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
1650
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link