Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Gesamtnote
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 34
    Rund um 3% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
    Rund um 1.33% höhere Bandbreite
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.1 left arrow 17.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.8 left arrow 19.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 12.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3285 left arrow 3178
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RAM 2

Letzte Vergleiche