RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3072
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link