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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
76
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
1624
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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