RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
76
Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
76
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
1624
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link