RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
16.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3759
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link