RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3759
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link