RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2536
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link