RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2942
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link