RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2942
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link