RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2419
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link