Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Pontuação geral
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.8 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 9.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 17000
    Por volta de 1.51% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 33
    Por volta de -14% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    33 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    17.8 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 9.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3285 left arrow 2419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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