RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
33
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2631
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link