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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
72
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
1817
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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