RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2460
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link