RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2460
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link