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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3372
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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