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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3372
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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