RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2346
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link