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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
38
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2346
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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