RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
1880
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link