RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
5.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1880
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link