RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2496
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link