RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
48
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2496
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link