RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2890
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link