RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2890
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link